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GaSb基半導體激光器憑借材料體系獨特的窄帶隙和天然的晶格匹配的優勢，是2–4 μm中紅外波段激光技術研究的前沿熱點。銻化物半導體激光器體積小、效率高、電驅動直接發光，在環境工業氣體檢測、生物醫療、自由空間通信和光電對抗等領域具有重要應用前景，并可作為中紅外固體和光纖激光器的理想種子光源。進入21世紀，伴隨分子束外延技術的飛速發展，銻化物半導體激光器已經實現輸出功率瓦級以上的室溫連續工作。當前，銻化物半導體激光器的研究正向提升單色性、相干性以及高亮度方向發展，以滿足高分辨率光譜學檢測和高效率泵浦應用的需求。本報告重點介紹銻化物單模外腔激光器的關鍵制備技術與測試研究，包括銻化物激光和超輻射增益芯片的研制，以及抑制內腔諧振和實現外腔耦合的相關設計，并結合定制的閃耀光柵外腔和光線光柵外腔進行縱模調控，實現單模功率、光譜純度、線寬和調諧范圍等激光性能指標的突破，為銻化物單模激光器的量產和應用奠定堅實的技術基礎。

人物介紹：

王天放，中國科學院半導體研究所，博士。本科畢業于北京科技大學數理學院黃昆班，碩博連讀于中國科學院半導體研究所。主要從事GaSb基單模激光器研制工作，重點研究外腔激光器方案。參與課題組國家自然科學基金重大項目，研究期間以第一作者完成5篇SCI論文。